Мощный наносекундный полупроводниковый лазер

 

Принцип действия

Источник лазерного излучения – матрица инжекционных полупроводниковых лазеров. Созданный источник импульсов тока накачки обеспечивает формирование импульса предварительной накачки длительностью 50…200 нс и синхронизированного с ним импульса основной накачки длительностью 2…4 нс с амплитудой до 120 А. Возможно формирование мощного импульса излучения длительностью до 100 нс.

Мощный полупроводниковый лазер
и огибающие формируемых им короткого
и длинного импульсов лазерного излучения

Основные характеристики

Длина волны излучения, нм	~900
Длительность импульса излучения, нс	2 ... 4
Пиковая мощность импульса излучения, не менее, Вт	500
Частота повторения импульсов, Гц	0 ... 1000
Отклонения отсчетов огибающих импульсов излучения от средней огибающей ансамбля из 1000 реализаций, %	2

 

Области применения

Исследования проблем регистрации коротких импульсов лазерного излучения в лазерной локации. Стробоскопические исследования: совместно с высокочувствительной телевизионной камерой успешно применялся для определения динамики движения и характера взаимодействия твердых частиц в сверхзвуковом потоке воздуха.

Подробнее

1. Бурый Е.В., Косых А.Е. Пространственно–временные характеристики излучения матрицы инжекционных лазеров в режиме генерации наносекундных импульсов // Квантовая электроника. – 1995. – Т. 22, № 8.
2. Пространственные характеристики излучения мощных полупроводниковых лазерных излучателей ИЛПИ–111 // Е.В. Бурый, А.Е. Косых, М.Н. Грудень и др. // Приборы и техника эксперимента. – 1996. – № 4.