Мощный полупроводниковый лазерный излучатель

 

Принцип действия

Источник лазерного излучения – матрица инжекционных полупроводниковых лазеров. Разработанный малогабаритный источник импульсов тока накачки обеспечивает формирование мощного импульса лазерного излучения длительностью 20 нс.


Экспериментально зарегистрированное распределение интенсивности излучения
матрицы инжекционных полупроводниковых лазеров в дальней зоне

Основные характеристики 

Длина волны излучения, нм ~900
Длительность импульса излучения, нс 20
Пиковая мощность импульса излучения, не менее, Вт  500
Частота повторения импульсов, Гц 0 ... 2000
Габаритные размеры излучателя, мм 25х15х110
Источник питания – по требованию потребителя 220 В, 50 Гц, 12,6 В

 

Области применения

Лазерная локация, системы ночного видения.


Подробнее

  1. Бурый Е.В., Косых А.Е. Пространственно–временные характеристики излучения матрицы инжекционных лазеров в режиме генерации наносекундных импульсов // Квантовая электроника. – 1995. – Т. 22, № 8.
  2. Е.В. Бурый, А.Е. Косых, М.Н. Грудень и др. Пространственные характеристики излучения мощных полупроводниковых лазерных излучателей ИЛПИ – 111 // Приборы и техника эксперимента. – 1996. – № 4.